| 描述 | DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2 | 技术 | SiC（Silicon Carbide）Schottky |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 3300 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 50A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | - | 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | - |
| 不同?Vr、F 时电容 | - | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-2 | 供应商器件封装 | TO-247-2 |
| 工作温度 - 结 | 175°C |
【Texas Instruments】GC5316IZED,IC DGTL DWN/UP CONV HI-D 388-BGA
【Texas Instruments】GC5318IZED,IC DGTL UP-CONV HI-DENS 388-BGA
【Texas Instruments】GC5322IZND,IC WB DGTL TX PROCESSOR 352BGA
【Texas Instruments】GC5325IZND,IC WB DGTL TX PROCESSOR 352-BGA
【Texas Instruments】GC5328IZER,IC DGTL UP-CONV HI-DENS 484BGA
