描述 | DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7 | 技术 | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
---|---|---|---|
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 650 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 51A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | - | 速度 | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | - | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | - |
不同?Vr、F 时电容 | 735pF @ 1V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA | 供应商器件封装 | TO-263-7 |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |