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GD60MPS06H

产品属性

描述	DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2	技术	SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）	650 V	电流 - 平均整流 (Io)	82A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	1.8 V @ 60 A	速度	无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)	0 ns	不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	10 μA @ 650 V
不同?Vr、F 时电容	1.463nF @ 1V， 1MHz	安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-2	供应商器件封装	TO-247-2
工作温度 - 结	-55°C ~ 175°C

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