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GF4435\5B

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:20 V
  • 漏极连续电流:8 A
产品属性
描述MOSFET P-Channel 30V 8A电阻汲极/源极 RDS(导通)0.035 Ohms
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SO-8
功率耗散2.5 W工厂包装数量2500

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