您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > gfb50n03\31b

GFB50N03\31B

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:20 V
产品属性
描述MOSFET N-Channel 30V 50A漏极连续电流50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.013 Ohms安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-263AB功率耗散62.5 W
工厂包装数量800

gfb50n03\31b的相关型号: