| 描述 | DIODE SILICON CARBIDE | 二极管配置 | 1 对共阴极 |
|---|---|---|---|
| 技术 | SiC（Silicon Carbide）Schottky | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 650 V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 36A（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.65 V @ 12 A |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 120 μA @ 650 V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
