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  • GP2D024A065U

GP2D024A065U

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产品属性
描述DIODE SILICON CARBIDE二极管配置1 对共阴极
技术SiC(Silicon Carbide)Schottky电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)650 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)36A(DC)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.65 V @ 12 A
速度无恢复时间 > 500mA(Io)反向恢复时间 (trr)0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏120 μA @ 650 V工作温度 - 结-55°C ~ 175°C
安装类型通孔封装/外壳TO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

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