| 描述 | SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | SiCFET（碳化硅） | 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 20A，20V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 10mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 61 nC @ 20 V | Vgs（最大值） | +25V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1377 pF @ 1000 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 188W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-4 |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |
【Sharp Microelectronics】GP2W0004XP,MODULE IRDA 115.2KBPS 6SMD
【Sharp Microelectronics】GP2W0004XP0F,MODULE IRDA 115.2KBPS 6SMD
【Sharp Microelectronics】GP2W0004YP,IRDA MODULE 115.2KBPS 6SMD
【Sharp Microelectronics】GP2W0004YP0F,IRDA MODULE 115.2KBPS 6SMD
【Sharp Microelectronics】GP2W0110YP0F,光纤发射器、接收器、收发器 IrDA 115 kbit/s 20 cm Side View
【Sharp Microelectronics】GP2W0110YPS,IRDA MODULE 115.2KBPS 8SMD
【Sharp Microelectronics】GP2W0110YPSF,IRDA MODULE 115.2KBPS 8SMD
