| 描述 | MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.7A（Tc），7.2A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 欧姆 @ 5A，10V，40 欧姆 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 5.6nC @ 4.5V，16nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 800pF @ 15V，1600pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
