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  • GT025N06AM

GT025N06AM

  • 制造商:-
  • 现有数量:800现货
  • 价格:800 : ¥8.63856卷带(TR)
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)170A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.5 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)70 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5119 pF @ 30 VFET 功能-
功率耗散(最大值)215W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装TO-263
封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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