| 描述 | N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 68 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6188 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 277W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-263 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
【ICE Components】GT04-111-063-B,变压器音频和信号 Gate Drive Transformer
【ICE Components】GT04-111-126-A,变压器音频和信号 Gate Drive Transformer
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