| 描述 | PB-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO | IGBT 类型 | - |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 15 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 60 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，15A |
| 功率 - 最大值 | 30 W | 开关能量 | 300μJ（开），300μJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | - |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 60ns/170ns | 测试条件 | 300V，15A，33 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 80 ns | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
