描述 | DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S | IGBT 类型 | - |
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电压 - 集射极击穿(最大值) | 600 V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 80 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,20A |
功率 - 最大值 | 45 W | 开关能量 | 500μJ(开),400μJ(关) |
输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | - |
25°C 时 Td(开/关)值 | 60ns/240ns | 测试条件 | 300V,20A,33 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 90 ns | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220SIS |