| 描述 | DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN( | IGBT 类型 | - |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 40 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 80 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2.7V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值 | 230 W | 开关能量 | -，290μJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | - |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | - | 测试条件 | 280V，40A，10 欧姆，20V |
| 反向恢复时间 (trr) | 600 ns | 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
