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GWM120-0075P3

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 标准包装:20
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:6 N-沟道(3 相桥)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET MOD TRENCH ISOPLUS-DILFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)75V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C118A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 60A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大-安装类型表面贴装
封装/外壳ISOPLUS-DIL?供应商设备封装ISOPLUS-DIL?
包装管件

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