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GWM160-0055X1-SL SAM

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:6 N-沟道(3 相桥)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 16$23.68
描述IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRTFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C150A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.3 毫欧 @ 100A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs105nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大-安装类型表面贴装
封装/外壳17-SMD,扁平引线供应商设备封装SMD
包装管件

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