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H11A817A_Q

描述晶体管输出光电耦合器 Photo Trans最大集电极/发射极饱和电压0.2 V
绝缘电压5000 Vrms电流传递比160 %
最大正向二极管电压1.5 V最大集电极电流50 mA
最大功率耗散200 mW最大工作温度+ 100 C
最小工作温度- 55 C封装 / 箱体PDIP-4
最大下降时间18 us最大输入二极管电流50 mA
最大反向二极管电压6 V最大上升时间18 us
输出设备Phototransistor输出类型DC

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