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H11N3S

描述高速光耦合器 SM-DIP6最大功率耗散250 mW
最大工作温度+ 85 C最小工作温度- 40 C
封装 / 箱体SMD-6封装Bulk
绝缘电压5300 Vrms最大连续输出电流50 mA
最大下降时间12 ns最大正向二极管电流30 mA
最大上升时间7.5 ns输出设备Logic Gate Photo IC

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