| 描述 | MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7 毫欧 @ 8A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 105nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5700pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
更紧凑。从封装特性上看，lfpak封装在封装电阻、厚度、热阻、电感等方面均明显优于sop-8。 针对小型化的发展需要，瑞萨实施了开发2合1芯片lfpak的计划，该产品的特点是：（1）将充电和放电两部分合在一个芯片内，这样电池板可以做得更小更薄。（2）获得低的rds(on)，具体为7.5m ，以及低的热阻。2合1芯片wpak封装的特性为： （1）超薄封装，厚度仅为0.8mm，是sop-8的54%。（2）低热阻。以笔记本电脑电池管理为例进行说明。在锂离子电池的管理中，原来使用sop-8封装的hat1048r要用4片，现在改用lfpak封装的hat1125h只要2片。这样使得整个锂离子电池和笔记本电脑做得更小更薄。 瑞萨mosfet器件性能评估 对于高端的电源充电器也即转换充电器应用，要求功率mosfet有以下特点：（1）高效率，以便做到低耗能。（2）大电流，以便快速充电。（3）小而薄的封装，以便做到小尺寸。 从快速充电器的基本电路构成上看，电路中要用到上下两个功率mosfet，称之为上部和下部。在高端应用中，瑞萨采用上下两个n沟道管子。在中档应用中，上下两部分别采用n沟道和p沟道管子。下面来 ...
