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  • HAT2165HWS-E

HAT2165HWS-E

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 30V 55A 5LFPAKFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)55A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.3 毫欧 @ 27.5A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33 nC @ 4.5 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5180 pF @ 10 VFET 功能-
功率耗散(最大值)30W(Tc)工作温度150°C
安装类型表面贴装型供应商器件封装LFPAK
封装/外壳SC-100,SOT-669

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