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  • HAT2173N-EL-E

HAT2173N-EL-E

  • 制造商:-
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-IFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15.3 毫欧 @ 12.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)6V @ 20mA
闸电荷(Qg) @ Vgs61nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds4350pF @ 10V
功率 - 最大30W安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)供应商设备封装8-LFPAK-iV
包装带卷 (TR)

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