| 描述 | MOSFET N-PAK 8SOP | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 个 N 通道（双），肖特基 | FET 功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.5A（Ta），8A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 3.75A，10V，22 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 4.6nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 630pF @ 10V，1330pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W（Ta） | 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
