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  • HBDM60V600W-7

HBDM60V600W-7

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN,PNP
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.099
  • 6000$0.093
  • 15000$0.087
  • 30000$0.0798
  • 75000$0.0768
产品属性
描述TRANS ARRAY NPN/PNP DUAL SOT-363电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA,600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)65V,60VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大)100nA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V
功率 - 最大200mW频率 - 转换100MHz
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363包装带卷 (TR)
其它名称HBDM60V600WDITR

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