| 描述 | MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 90V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A，1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5 欧姆 @ 1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 70pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 500mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 | 供应商设备封装 | 6-SMD |
| 包装 | 散装 |
