描述 | IGBT 晶体管 20A 360V Clamp | 栅极/发射极最大电压 | +/- 10 V |
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在25 C的连续集电极电流 | 29 A | 栅极—射极漏泄电流 | 1000 uA |
功率耗散 | 50 W | 最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-263AB-3 | 封装 | Tube |
集电极最大连续电流 Ic | 37.7 A | 最小工作温度 | - 40 C |
安装风格 | SMD/SMT | 工厂包装数量 | 50 |
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N60A4S9A,IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N60C3S9A,IGBT UFS N-CHAN 600V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S2N120CN,IGBT NPT N-CH 1200V 13A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】HGT1S3N60A4DS9A,IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK
【Fairchild Semiconductor】HGT1S7N60A4DS,IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S7N60A4S9A,IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series
【Fairchild Semiconductor】HGT1S7N60B3DS9A,IGBT 晶体管 14A 600V UFS N-Ch