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HGTG10N120BND_Q

描述IGBT 晶体管 35A 1200V N-Ch栅极/发射极最大电压+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流35 A栅极—射极漏泄电流+/- 250 nA
功率耗散298 W最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体TO-247-3封装Tube
集电极最大连续电流 Ic35 A最小工作温度- 55 C
安装风格Through Hole

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