描述 | IGBT 晶体管 35A 1200V N-Ch | 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
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在25 C的连续集电极电流 | 35 A | 栅极—射极漏泄电流 | +/- 250 nA |
功率耗散 | 298 W | 最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 | 封装 | Tube |
集电极最大连续电流 Ic | 35 A | 最小工作温度 | - 55 C |
安装风格 | Through Hole |
【Fairchild Semiconductor】HGTG11N120CN,IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247
【Fairchild Semiconductor】HGTG11N120CND,IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247
【Fairchild Semiconductor】HGTG12N60A4,IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO247
【Fairchild Semiconductor】HGTG12N60A4D,IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO247
【Fairchild Semiconductor】HGTG12N60B3,IGBT UFS N-CHAN 600V 27A TO-247
【Fairchild Semiconductor】HGTG12N60C3D,IGBT UFS N-CHAN 600V 24A TO-247
【Fairchild Semiconductor】HGTG18N120BN,IGBT NPT N-CH 1200V 54A TO-247