描述 | IGBT 晶体管 Coil Dri 20A 350V | 栅极/发射极最大电压 | +/- 10 V |
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在25 C的连续集电极电流 | 20 A | 栅极—射极漏泄电流 | 590 uA |
功率耗散 | 150 W | 最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-220AB-3 | 封装 | Tube |
集电极最大连续电流 Ic | 20 A | 最小工作温度 | - 40 C |
安装风格 | Through Hole | 工厂包装数量 | 400 |
零件号别名 | HGTP20N35G3VL_NL |
【Fairchild Semiconductor】HGTP20N60A4,IGBT N-CH SMPS 600V 70A TO220AB
【Fairchild Semiconductor】HGTP2N120CN,IGBT NPT N-CH 1200V 13A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HGTP3N60A4,IGBT N-CH SMPS 600V 17A TO220AB
【Fairchild Semiconductor】HGTP3N60A4D,IGBT N-CH SMPS 600V 17A TO220AB
【Fairchild Semiconductor】HGTP5N120BND,IGBT NPT N-CH 1200V 21A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HGTP7N60A4,IGBT N-CH SMPS 600V 34A TO220AB