| 描述 | NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50 | 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 150mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 2mA，6V | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 频率 - 跃迁 | 80MHz | 工作温度 | 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | US6 |
