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HN7G08FE-A(TE85L,F

  • 制造商:-
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 12 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥0.621
  • 10¥0.483
  • 100¥0.414
  • 250¥0.38
  • 500¥0.352
产品属性
描述Transistors Bipolar (BJT) Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA直流集电极/Base Gain hfe Min300
配置Dual安装风格Through Hole
封装 / 箱体ES-6封装Reel
集电极连续电流- 400 mA增益带宽产品fT130 MHz
功率耗散100 mW工厂包装数量4000

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