| 描述 | HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.5A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65mOhm @ 8.5A，10V，70mOhm @ 8.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 12.3nC @ 10V，38nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 470pF @ 30V，2300pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 3W（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | 8-HSOP |
