HS10

×200mt条件下）。在 80℃时损耗最小，为280mw/cm3。25℃时bs为 540mt，100℃时，bs为420mt。还开发出高温高饱和磁密材料pe33，居里点tc>290℃，在100℃ 下，bs为450mt。在100℃，100khz×200mt条件下，pc≤1100mw/cm3，日本fdk公司，德国 epcos公司、ferrocube公司也开发出类似的高温高饱和磁密材料。 高磁导率材料也有许多新品种，如tdk公司的脉冲变压器用h5c5，μi为30000左右。抗电磁干扰电感器用hs10，同时具有良好的频率特性和阻抗特性，在500khz仍具有较高磁导率，虽然初始磁导率不高，只有10000左右。高磁导率高饱和磁密材料dn50，在25℃时bs为550mt，在100℃时bs为380mt，μi为5200左右，居里温度tc≥210℃。 在新工艺方面，自蔓延高温合成法（shs）是近年来的研究热点，其原理是利用反应物内部的化学能来合成材料。整个工艺极为简单，能耗低，生产效率与产品纯度高，对环境无污染，已经成功合成mg、mgzn、mnzn、nizn铁氧体，正在实现产业化。火花等离子烧结法 ...

×200mt条件下）。在 80℃时损耗最小，为280mw/cm3。25℃时bs为 540mt，100℃时，bs为420mt。还开发出高温高饱和磁密材料pe33，居里点tc>290℃，在100℃ 下，bs为450mt。在100℃，100khz×200mt条件下，pc≤1100mw/cm3，日本fdk公司，德国 epcos公司、ferrocube公司也开发出类似的高温高饱和磁密材料。 高磁导率材料也有许多新品种，如tdk公司的脉冲变压器用h5c5，μi为30000左右。抗电磁干扰电感器用hs10，同时具有良好的频率特性和阻抗特性，在500khz仍具有较高磁导率，虽然初始磁导率不高，只有10000左右。高磁导率高饱和磁密材料dn50，在25℃时bs为550mt，在100℃时bs为380mt，μi为5200左右，居里温度tc≥210℃。 ...

hz×200mt条件下）。在 80℃时损耗最小，为280mw/cm3。25℃时bs为 540mt，100℃时，bs为420mt。还开发出高温高饱和磁密材料pe33，居里点tc>290℃，在100℃ 下，bs为450mt。在100℃，100khz×200mt条件下，pc≤1100mw/cm3，日本fdk公司，德国 epcos公司、ferrocube公司也开发出类似的高温高饱和磁密材料。 高磁导率材料也有许多新品种，如tdk公司的脉冲变压器用h5c5，μi为30000左右。抗电磁干扰电感器用hs10，同时具有良好的频率特性和阻抗特性，在500khz仍具有较高磁导率，虽然初始磁导率不高，只有10000左右。高磁导率高饱和磁密材料dn50，在25℃时bs为550mt，在100℃时bs为380mt，μi为5200左右，居里温度tc≥210℃。 在新工艺方面，自蔓延高温合成法（shs）是近年来的研究热点，其原理是利用反应物内部的化学能来合成材料。整个工艺极为简单，能耗低，生产效率与产品纯度高，对环境无污染，已经成功合成mg、mgzn、mnzn、nizn铁氧体，正在实现产业化。火花等离子烧结法（s ...