描述 | DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA | 技术 | 标准 |
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电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 1000 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7 V @ 1 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 75 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 μA @ 1000 V |
不同?Vr、F 时电容 | 15pF @ 4V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | DO-219AB | 供应商器件封装 | Sub SMA |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |