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  • HSG1002VE-TL-E

HSG1002VE-TL-E

  • 制造商:-
  • 标准包装:10,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:RF 晶体管 (BJT)
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4电压 - 集电极发射极击穿(最大)3.5V
频率 - 转换38GHz噪声系数(dB典型值@频率)0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
增益8dB ~ 19.5dB功率 - 最大200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 5mA,2V电流 - 集电极 (Ic)(最大)35mA
安装类型表面贴装封装/外壳4-SMD,鸥翼型
供应商设备封装4-MFPAK包装带卷 (TR)

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