| 描述 | DIODE GEN PURP 1A TS-1 | 技术 | 标准 |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7 V @ 1 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 75 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 μA @ 1000 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | 10pF @ 4V，1MHz | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 | 供应商器件封装 | TS-1 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
