| 描述 | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 100mA，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 100μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 4.3 nC @ 5 V | Vgs（最大值） | 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 290 pF @ 28 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tj） | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | - |
| 封装/外壳 | 8-CDIP 裸露焊盘 |
