描述 | MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 70 毫欧 @ 3A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 20V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 352pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商设备封装 | SOT-223-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】HUF75321D3,MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75321D3S,MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75321D3ST,MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75321P3,MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HUF75321S3S,MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75321S3ST,MOSFET DISC BY MFG 2/02
【Fairchild Semiconductor】HUF75329D3,MOSFET N-CH 55V 20A IPAK