您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > huf75329d3st
  • HUF75329D3ST

HUF75329D3ST

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.44814
  • 5000$0.42573
  • 12500$0.40973
  • 25000$0.39692
  • 62500$0.38412
描述MOSFET N-CH 55V 20A DPAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs65nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds1060pF @ 25V功率 - 最大128W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252-3包装带卷 (TR)
其它名称HUF75329D3ST-NDHUF75329D3STFSTR

huf75329d3st的相关型号: