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  • HUF75531SK8

HUF75531SK8

描述MOSFET SO-8电阻汲极/源极 RDS(导通)0.03 Ohms
配置Single Quad Drain Triple Source最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
封装Tube下降时间29 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间25 ns典型关闭延迟时间49 ns

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