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  • HUF75639S3ST

HUF75639S3ST

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$1.07678
  • 1600$0.98818
  • 2400$0.92003
  • 5600$0.88595
  • 20000$0.85188
描述MOSFET N-CH 100V 56A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C56A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 56A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 25V功率 - 最大200W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263AB包装带卷 (TR)
其它名称HUF75639S3ST-NDHUF75639S3STTR

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