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  • HUF75842S3ST

HUF75842S3ST

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 150V 43A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C43A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C42 毫欧 @ 43A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs175nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds2730pF @ 25V功率 - 最大230W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D?PAK包装带卷 (TR)

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