描述 | MOSFET USE 512-FDB6030BL | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.021 Ohms |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263AB |
封装 | Reel | 下降时间 | 31 ns, 42 ns |
最小工作温度 | - 40 C | 功率耗散 | 75 W |
上升时间 | 16 ns, 47 ns | 工厂包装数量 | 800 |
典型关闭延迟时间 | 14 ns, 47 ns |
【Fairchild Semiconductor】HUF76129D3,MOSFET 20a 30V N-Ch Logic Level 0.016Ohm
【Fairchild Semiconductor】HUF76129D3S,MOSFET 20a 30V N-Ch Logic Level 0.016Ohm
【Fairchild Semiconductor】HUF76129D3ST,MOSFET USE 512-FDD8878 Logic Level 0.016Ohm
【Fairchild Semiconductor】HUF76129P3,MOSFET 56a 30V N-Ch MOSFET
【Fairchild Semiconductor】HUF76129S3,MOSFET 56a 30V N-Ch MOSFET
【Fairchild Semiconductor】HUF76129S3ST,MOSFET 56a 30V N-Ch MOSFET
【Fairchild Semiconductor】HUF76129S3STK,MOSFET 56a 30V N-Ch MOSFET