| 描述 | MOSFET USE 512-FDB8896 Logic Level N-Ch | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0065 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263AB |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 40 ns, 55 ns |
| 最小工作温度 | - 40 C | 功率耗散 | 165 W |
| 上升时间 | 150 ns, 65 ns | 工厂包装数量 | 800 |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns, 90 ns |
【Fairchild Semiconductor】HUF76143P3,MOSFET 75a 30V 0.0055 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76143S3,MOSFET 75a 30V 0.0055 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76143S3S,MOSFET 75a 30V 0.0055 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76143S3ST,MOSFET USE 512-FDB8874 Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76145P3,MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76145S3,MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76145S3S,MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76145S3ST,MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch