您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > huf76407d3st
  • HUF76407D3ST

HUF76407D3ST

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.28782
  • 5000$0.26798
  • 12500$0.25805
  • 25000$0.24813
  • 62500$0.24416
描述MOSFET N-CH 60V 12A DPAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C92 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs11.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V功率 - 最大38W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252-3包装带卷 (TR)
其它名称HUF76407D3ST-NDHUF76407D3STFSTR

huf76407d3st的相关型号: