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  • HUF76419S3S

HUF76419S3S

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 29A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C29A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 29A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds900pF @ 25V功率 - 最大75W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D?PAK包装管件

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