| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 160 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 425pF @ 25V | 功率 - 最大 | 49W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | HUF76609D3ST-NDHUF76609D3STFSTR |
【Fairchild Semiconductor】HUF76619D3,MOSFET 18a 100V 0.087 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76619D3S,MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF76619D3ST,MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF76629D3,MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF76629D3S,MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF76629D3ST,MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF76633P3,MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB