您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > hufa75309t3st
  • HUFA75309T3ST

HUFA75309T3ST

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 3A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 20V输入电容 (Ciss) @ Vds352pF @ 25V
功率 - 最大1.1W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SOT-223-3
包装带卷 (TR)

hufa75309t3st的相关型号: