| 描述 | MOSFET SO-8 | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.039 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOP-8 |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 31 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 23 ns | 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
【Fairchild Semiconductor】HUFA75637P3,MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HUFA75637S3S,MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA75637S3ST,MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA75639G3,MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
【Fairchild Semiconductor】HUFA75639P3,MOSFET N-CH 100V 56A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HUFA75639S3S,MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA75639S3ST,MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA75639S3ST_F085A,MOSFET N-CHAN UltraFET Pwr 56A 100V 0.025Ohm