| 描述 | MOSFET N-CHAN 60V 4.8A SO-8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 49 毫欧 @ 5.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | SO-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | HUFA76413DK8T-NDHUFA76413DK8TTR |
【Fairchild Semiconductor】HUFA76413DK8T_F085,MOSFET 60V Dual N-Channel Logic Level UltraFER
【Fairchild Semiconductor】HUFA76413P3,MOSFET N-CH 60V 23A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HUFA76419D3,MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76419D3S,MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76419D3ST,MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76419P3,MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
