描述 | MOSFET N-CH 60V 35A TO-263AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 35A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 30 毫欧 @ 35A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 34nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1060pF @ 25V |
功率 - 最大 | 85W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263AB |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】HUFA76429D3,MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76429D3S,MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76429D3ST,MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76429D3ST_F085,MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76429P3,MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HUFA76429P3_Q,MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUFA76429S3S,MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK