描述 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 160 毫欧 @ 10A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 425pF @ 25V |
功率 - 最大 | 49W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】HUFA76609D3ST,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76609D3ST_F085,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76619D3,MOSFET N-CH 100V 18A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76619D3S,MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76619D3ST,MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76629D3,MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76629D3S,MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76629D3ST,MOSFET N-CH 100V 20A DPAK