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  • HY27UF084G2M-TPCB

HY27UF084G2M-TPCB

存储器电压 Vcc3.3V存储器类型Flash, NAND
存储器配置512M x 8b封装类型TSOP
工作温度敏0°C工作温度最高70°C
接口类型Serial每页2112Byte
温度范围商用电压, Vcc3.3V
电源电压 最大3.6V电源电压 最小2.7V
表面安装器件表面安装读写周期4
读周期 tRC30ns逻辑功能号HY27UF084

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